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- エレクトロニクス材料、半導体、IT関連分野において、分析・解析専門家と材料の専門家とのチームワークで、高度解析装置を駆使して、あらゆる調査・解析を受託、実行致します。
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| ■ウェハー |
| ■ＬＳＩ |
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| ■微小領域 |
●nmｵｰﾀﾞｰの微小領域を分析・解析します。 ●AES、ｲﾝﾚﾝｽﾞSEM、TEMなどを用います。 |
| ■極薄層 |
●10-100nm厚みを分析・解析します。 ●AES、SIMS、XPS、GDS、RBS、AFMなどを用います。 |
| ■極微量成分 |
●1ppbｵｰﾀﾞｰの不純物成分などを分析・解析します。 ●ICP-MS、GD-MSなどを用います。 ●パッケージ中のガス分析、FT-IRを用いたウエハー中の酸素分析ができます。 |
| ■極微小量試料 |
●ngレベルのものでも分析・解析します。 |
| ■１２ｲﾝﾁｳｪﾊｰ (８,６,５ｲﾝﾁ) |
●ベアウエハー、パターン付きウエハーのパーティクル分析します。 ●パーティクルのSEM形状観察、EDSで成分元素分析できます。 |
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●全反射蛍光Ｘ線分析します。 ●Ｘ線トポグラフ解析します。 ●ウエハ上の汚染元素を、pg、ngレベルで分析できます。
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| ■TEM観察 |
・ゲート断面 ・ONO薄膜断面 ・ホール素子断面 ・ゲート配線異物 ・CVD-TiN膜厚測定 ・デバイス構造 ・強誘電体薄膜 ・コンタクトホール界面 ・エピウエハー界面 |
・ボンディングパッド断面 ・SRAMセル断面 ・パッシベーション膜断面 ・コンタクトホール断面 ・超微粒子断面 ・InSb蒸着膜断面 ・ｳｴﾊｰ裏面ﾎﾟﾘｼﾘｺﾝ界面 ・GaAs-FET |
| ■SIMS分析 |
・ウエハーのB,P,As ・PMOSゲートチャネル領域 ・WSiゲート直下 ・Bのディプスプロファイル ・TiN膜 |
・Auパット表面 ・電極汚れ ・ボンディングパッド ・ポリイミド表面 |
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■AES,XPS 分析 |
・深さ方向 ・BPSG膜 ・配線間残さ ・AlCu膜中Cu濃度 ・PAD表面 ・ホール素子 |
・ダイボンド樹脂 ・GaAs素子表面 ・ﾎﾞﾝﾃﾞｨﾝｸﾞﾊﾟｯﾄﾞ表面汚染 ・SiN層断面付着物 ・Au配線 ・ウエハー残留物 |
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■XRD分析 ■Ｘ線トポグラフ |
・Al膜配向性 ・MgO膜微小部 ・Siウエハー |
・酸素析出物密度測定 ・加工後ウエハー ・研磨後ウエハー |
| ■EBSP測定 | ・膜あるいは配線の配向性 | |
| ■IR分析 | ・蒸着ガラス表面OH基定量 | ・ホール素子D/B部樹脂 |
| ■ガス分析 |
・封入ガス ・ハンダ中ガス ・蒸着膜付ｶﾊﾞｰｶﾞﾗｽの放出ｶﾞｽ |
・蒸着材料の放出ガス ・カーボン膜の放出ガス ・パッケージ部品の放出ガス |
| ■元素分析 |
・ウエハーエッジ異物分析 ・ゲート配線異物分析 ・ワードラインストラップ異物分析 ・不揮発メモリーパターン欠陥 ・ボンディング界面生成物 ・ボンディング不良パット |
・製品ウエハー表面 ・TiN膜の不純物分析 ・超純水 ・P-TEOS膜 ・WSi膜組成 |
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■不良解析 評価試験 |
・Logic IC不良解析 ・ボンディング評価 ・ＰＫＧ（パッケージ）開封検査 |
・Memoryチップ不良解析 ・はんだ濡れ性評価 |
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■周辺装置 設備 |
・ｸﾘｰﾝﾙｰﾑ室内雰囲気分析 ・工場薬液分析 ・CVD装置排気系バルブ調査 ・高濃度再生廃液処理 ・排気管穴明き調査 |
・配管封入水分析 ・SUSフレキシブルチューブ調査 ・HCl配管腐食調査 ・ｴﾊﾞﾎﾟﾚｰﾀｰ放熱板腐食調査 |
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上記の材料関連のみならず、プロセス関連についても、課題解決にご協力できます。 「半導体製造に関する課題」ページをご覧下さい。 |
